2025年10月14–17日，第十六届全国分子束外延学术会议在江苏常州星河万丽酒店召开。大会以“展示新进展、洞察新方向”为宗旨，吸引全国科研院所、高等院校及产业链上下游300余位代表，共同交流MBE技术最新成果与产业动态。埃特曼半导体技术有限公司（以下简称“埃特曼”）继续携手全球MBE设备合作伙伴DCA Instrunments Oy(以下简称DCA)参展，并携公司外延产品组合亮相现场。

展台速览

本次埃特曼携带DCA1400系统模型按1:6比例还原生产型腔体，清晰呈现氨束源、射频氮等离子体源及原位监控模块，成为与会专家驻足讨论的焦点。

同时公司GaAs、InP及GaN外延产品凭借高均匀性、低缺陷密度及优异电学性能的核心指标，吸引了来自5G通信、电力电子、激光传感等领域的众多专业观众驻足咨询，成为展台焦点，充分彰显了公司在外延材料领域的技术领先地位与产业配套能力。

大会报告

中国科学院物理研究所研究员、埃特曼首席科学家周钧铭先生应邀作首场大会报告《MBE生长GaN系材料的进展》，系统回顾了我司近三年在AlN/GaN异质结窗口转移生长技术、AlN极性反转技术、以及红外监测蓝宝石AlN异质外延方面的实验进展，并对MBE技术在第三代半导体产业化方向提出展望。

分会交流

在MBE大会分会场，埃特曼研发中心同事连续带来四场报告：

Si衬底上高质量AlN成核层的PA MBE生长技术

图形衬底诱导的AlN极性反转

NH₃-MBE在氮化物生长中的应用

用于AlN生长的红外测温监控技术

报告围绕Si基AlN成核层晶体质量优化、AlN极性调控、NH₃MBE二次外延和HEMT工艺及原位监控AlN异质外延等关键问题分享最新实验成果，现场提问踊跃。

奖项延续

大会继续设立“周钧铭MBE产业化贡献奖”，本届奖项由苏州焜原光电有限公司获得。周钧铭先生为获奖者颁发证书。

未来方向

未来，公司将继续深耕GaAs、InP与GaN外延技术，聚焦材料性能与可靠性的持续精进，进一步拓展在通信、功率与光电领域的前沿应用；秉持开放创新理念，携手产业链伙伴，共同推动化合物半导体技术的演进与生态繁荣，致力于成为全球客户信赖的外延材料长期合作伙伴。