电力电子和光子化合物半导体强劲增长推动了衬底和外延片市场发展。

概览

● 预计2029年化合物半导体衬底市场规模将达到33亿美元，2023年至2029年的复合年增长率为17%。
● Wolfspeed、Coherent Corp.、SEDI ...衬底供应商不断制定新战略，其产品组合多样化且市场占有率不断提高。
● 化合物半导体技术展示了跨行业的各种进步：SiC、GaN、InP ...

化合物半导体对各行各业都具有变革性影响。SiC在汽车领域的主导地位，特别是在800V电动汽车领域，推动了数十亿美元的市场。与此同时，GaN电力电子正在扩大其在消费和汽车领域的影响力。Yole Group分析师预计智能手机OVP将拥有十亿单位的商机。RF GaAs广泛应用于5G和汽车互联，而RF GaN则在国防、电信和航天工业中具有重要应用，主要用于大功率器件。在光子学领域，InP和GaAs处于领先地位，InP在AI应用的推动下经历了复苏，而GaAs光子学则受到各种市场动态的影响，增长较为平缓。尽管MicroLED显示出潜力，但需要一个渐进过程才能实现广泛应用......

在此背景下，市场研究和战略咨询公司Yole Group更新了其专门针对化合物半导体市场的年度报告：射频、功率、光子学和显示。在其最新的《2024 年化合物半导体行业现状》报告中，分析师对该行业以及每种衬底、SiC、GaN-on-Si、GaAs、InP 和蓝宝石的技术趋势进行了深入的了解。Yole Group的2024年市场和技术研究也详细回顾了整个生态系统。

Yole Group半导体衬底和材料技术与市场分析师Ali Jaffal博士表示：“化合物半导体行业正处于向更大直径衬底过渡的关键。在光子学领域，人工智能正在推动对高数据速率激光器的需求，可能会加速向 6” InP 衬底的过渡。另一方面，GaAs探索了microLED的8英寸制造，与OLED竞争形成竞争态势，面临着良率和效率挑战。虽然其能否成功受到质疑，但大量投资的支持推动其发展。

GaAs和InP衬底供应商，包括弗莱贝格、住友电工和AXT在向更大直径衬底的过渡中发挥着核心作用。其中，也离不开光子学、功率和射频市场。

Wolfspeed 正在引领变革，为电力电子应用提供 SiC 衬底。Wolfspeed 已实现了更大的8”晶圆厂转变，并正在根据其战略愿景扩大其材料产能。

Coherent是一家专注于光子器件的领先企业，并主导着功率和射频应用的SiC衬底市场。Coherent已经建立了许多战略联盟，例如，在RF GaN方面与SEDI结盟，以巩固其地位，并供应功率SiC器件。Coherent涵盖了从衬底到先进器件的整个价值链，布局在不断发展，在许多方面都有多项创新并建立战略合作伙伴关系。

Yole Group半导体衬底和材料技术与市场分析师Taha Ayari博士表示：“化合物半导体技术正在跨行业发展，特别是在蓬勃发展的SiC行业。虽然6”晶圆仍是标准配置，但 Wolfspeed 对 MHV 晶圆厂的 12 亿美元投资率先实现了向8”晶圆尺寸过渡。其他重点关注的是提高SiC晶圆的产量和供应，包括SOITEC和Sumitomo Mining的工程衬底等创新。功率GaN在英诺赛科（Innoscience）、意法半导体（STMicroelectronics）和英飞凌科技（Infineon Technologies）扩张的推动下，将转向8” GaN-on-Si。

Yole Group半导体衬底和材料技术与市场分析师Aymen Ghorbel表示：“RF GaN-on- si进入通信市场受益于与更成熟的Power GaN的协同效应，以及与成熟的RF GaN-on- sic技术竞争。此外，射频GaN生态系统的重大变化，如Wolfspeed射频业务被macom收购，可能会影响射频GaN行业。”

本文选取来自Yole Group的市场及技术趋势分析报告《Status of the Compound Semiconductor Industry 2024》。