外延产品

EPIWAFER

砷化镓

GaAs

砷化镓(GaAs)体系外延材料在射频和光电领域性能优异。其中GaAs pHEMT 被广泛应用于无线通信射频前端模块。而 GaAs VCSEL 也被广泛应用于 3D 感应、数据中心。为满足射频及光电芯片对性能的需求,埃特曼采用国际领先的 MBE 外延生产技术,为国内外客户提供高质量的 GaAs 外延片。

 

射频类:
  GaAs pHEMT

光电类: 
  GaAs VCSEL

磷化铟(InP) 体系外延材料因其在近红外波段的优异性能,以及超高的电子迁移率,在近红外探测、光通信、高频微波射频领域应用广泛。随着现代科技对数据传输效率需求的提升,高速光通信对芯片的性能要求不断提高。为满足光电及射频芯片对性能的需求,埃特曼采用国际领先的 MBE 外延生产技术,为国内外客户提供高质量的 InP 外延片。

 

光电类:
  InP PIN
  InP APD

射频类: 
  InP HBT

磷化铟

InP

氮化镓

GaN

氮化镓(GaN)是第三代半导体材料中的代表,因其高耐压、高饱和速率等优点,在微波射频和功率电子领域逐渐替代传统的硅基器件,发挥重要作用。埃特曼采用国际领先的 Hybrid-MBE 技术,为国内外客户提供高质量、低成本的 GaN 外延片。

 

射频类:
  GaN-on-SiC HEMT
  GaN-on-Si HEMT
  S/D n+ GaN 二次外延

功率类: 
  GaN-on-Si HEMT