砷化镓
GaAs
砷化镓（GaAs）体系外延材料在射频和光电领域性能优异。其中GaAs pHEMT 被广泛应用于无线通信射频前端模块。而 GaAs VCSEL 也被广泛应用于 3D 感应、数据中心。为满足射频及光电芯片对性能的需求，埃特曼采用国际领先的 MBE 外延生产技术，为国内外客户提供高质量的 GaAs 外延片。
射频类：
GaAs pHEMT
光电类：
GaAs VCSEL
磷化铟（InP） 体系外延材料因其在近红外波段的优异性能，以及超高的电子迁移率，在近红外探测、光通信、高频微波射频领域应用广泛。随着现代科技对数据传输效率需求的提升，高速光通信对芯片的性能要求不断提高。为满足光电及射频芯片对性能的需求，埃特曼采用国际领先的 MBE 外延生产技术，为国内外客户提供高质量的 InP 外延片。
光电类：
InP PIN
InP APD
射频类：
InP HBT
磷化铟
INP
氮化镓
GaN
氮化镓（GaN）是第三代半导体材料中的代表，因其高耐压、高饱和速率等优点，在微波射频和功率电子领域逐渐替代传统的硅基器件，发挥重要作用。埃特曼采用国际领先的 Hybrid-MBE 技术，为国内外客户提供高质量、低成本的 GaN 外延片。
射频类：
GaN-on-SiC HEMT
GaN-on-Si HEMT
S/D n+ GaN 二次外延
功率类：
GaN-on-Si HEMT
